聲科微電子W波段CMOS毫米波雷達(dá)芯片應(yīng)用了目前國際上先進(jìn)的3D芯片堆疊（chiplets）技術(shù)，同時(shí)目前正在設(shè)計(jì)的砷化鎵（GaAs）射頻收發(fā)前端和有源環(huán)形器的MMIC芯片與CMOS芯片混合封裝，即提高了發(fā)射功率，降低了系統(tǒng)噪聲，又同時(shí)提高了信噪比。